- 文献综述（或调研报告）：
功函数是材料的一个重要物理参数，在半导体器件、光电器件以及集成电路工艺等研究中具有重要作用。表面功函数反映出导体材料表面的能级排列，电子及空穴注入势垒的大小，从而体现出材料的性能，对材料的结构组成和表面物理、化学性质的变化十分敏感，是一个工艺灵敏的量，对接触势垒有重要的影响。功函数影响光电子器件的载流子注入，从而影响器件性能。对于n型半导体器件，选择功函数较小的金属；p型器件选择功函数较大的金属，都能降低金属和半导体界面的肖特基势垒高度，有利于载流子注入。对有机电致发光这种双极注入器件，电极的功函数影响两级注入的电子和空穴的平衡。提高载流子的平衡是一种有效优化器件性能的手段。目前，很多研究都致力于改善电极功函数来改善有机电致发光器件性能。有机电致发光器件中阳极尽量选用功函数高的材料，有利于空穴的注入，阴极则选用功函数较低的金属，都对提高器件性能有帮助。
表面功函数测量具有十分悠久的历史，至今仍是表面物理的一种重要的研究方法。目前，功函数测量主要分为两大类：绝对测量和相对测量。绝对测量是激发待测材料发射热电子、光电子、场电子，利用发射电子流和激发场的关系计算出功函数，如紫外光电子能谱法（UPS）。相对测量是利用参考电极和待测电极之间的接触势差计算出所求的功函数。而Kelvin振动电容法就属于常见的相对测量得方法，它是测量接触势差引起的电场信号的变化，不存在电子收集和发射的过程，避免了测量过程中对样品表面产生的变化，适用范围更广泛，测量更精确，更加具有优势。
参考文献：
- 张浩,刘善鹏,黄伟,委福祥,曹进,蒋雪茵,张志林.基于接触势差法的表面功函数测试装置[J].发光学报,2007(04):505-509.
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- 黄伟,刘善鹏,张浩,曹进,朱文清,蒋雪茵,张志林.新型功函数测量系统的建立及其应用研究[J].光电子.激光,2007(04):454-456 466.
- 魏赛珍,毛祖遂,潘涛.测量固体表面功函数的几种Kelvin探针的研制[J].真空科学与技术,1988(06):389-392.
- 贾金锋,盖峥,杨威生.用扫描隧道显微镜测量局域功函数[J].物理学报,1997(08):97-103.
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