摘要
碳化硅（SiC）器件凭借其优异的性能，如高禁带宽度、高临界电场强度和高热导率等，正逐渐取代传统的硅（Si）器件，并在电力电子领域引发了一场技术革命。
然而，SiC器件的驱动挑战也日益凸显，高效驱动技术成为SiC器件性能充分发挥的关键。
本文首先介绍了SiC器件的基本特性和驱动挑战，接着综述了SiC器件高效驱动电路的研究现状，包括传统驱动电路拓扑结构的分析、新型高效驱动电路拓扑结构的设计与优化以及驱动电路关键参数的设计方法等。
此外，还归纳了SiC器件驱动电路的仿真分析和实验研究方法，并对未来的发展趋势进行了展望。
关键词：碳化硅器件；高效驱动；驱动电路拓扑；栅极驱动；宽禁带器件
1.碳化硅器件与高效驱动概述1.1碳化硅器件的优势碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，与传统硅（Si）材料相比，具有更高的击穿电场、更高的工作温度、更高的开关速度和更低的导通损耗等优势，使其在电力电子领域备受关注。
1.2SiC器件的驱动挑战SiC器件的优异性能使其在高频、高温、高压等应用场景中具有巨大潜力，但也对驱动电路提出了更高的要求，主要体现在以下几个方面：更高的驱动电压：SiC器件的阈值电压高于Si器件，需要更高的栅极驱动电压才能有效开启和关闭。
更快的开关速度：SiC器件的开关速度极快，驱动电路需要提供足够的电流驱动能力，才能保证器件快速可靠地开关。
更低的寄生参数：SiC器件的开关速度极快，对寄生电感和电容非常敏感，驱动电路需要尽可能降低寄生参数，才能避免器件出现振荡、误触发等问题。
更高的可靠性：SiC器件工作在高压、高温、高频等恶劣环境下，对驱动电路的可靠性提出了更高的要求。
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