二维CrI3与VSe2界面接触特性研究文献综述

 2023-04-23 08:04

文献综述

文 献 综 述1.前言2004年,英国曼彻斯特大学A.K.Geim课题组首次剥离了单层石墨烯[1],并证明了其稳定性,打破了此前学术界对二维材料因热涨落大于其所能承受极限而不能稳定存在的观点。

随着研究的不断深入,越来越多的二维材料被发现并被合成,如BN[2]、TMDs[3]和MXenes[4]等等。

然而,二维材料在自旋电子学中的应用进展非常缓慢,这主要是由于传统二维材料缺乏磁序。

因此,人们一直在寻找具有固有磁性的二维材料。

2017年,华盛顿大学的许晓栋教授和麻省理工大学的Pablo Jarillo-Herrerok教授的科研团体首次发现了二维CrI3固有铁磁性的二维材料[5]。

二维铁磁材料的问世促进了高性能电子器件的发展。

基于二维铁磁材料的自旋电子学器件,如磁隧道结,已被证明具有优异的性能。

当二维铁磁半导体材料应用于电子器件时,二维铁磁半导体需要与金属电极接触,接触的性质决定了器件的性能,因此金属电极与二维铁磁半导体的良好接触是制约器件发展的重要影响因素。

2. 单层CrI3的结构与特点CrI3是一种层状材料,层内的原子通过较强的化学键连接,而层间则是由较弱的范德瓦尔斯作用结合,因此便于在实验上通过机械剥离的方法得到。

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